EUV光刻大升级，国产替代防护膜得发展

近年来，凭借其Twinscan NXE EUV光刻工具取得了长足进步，ASML改善了EUV光刻机的光源性能，可用性时间和生产率。但是仍然需要进一步发展，其中防护膜的开发就是最困难的挑战之一，幸运的是，由于最近推出了可用于生产的EUV防护膜，因此防护膜的状况终于得到了改善，而且情况有望在未来几年得到改善。

薄膜（Pellicle）通过将其与可能落在其表面上的颗粒隔离开，从而在芯片生产流程中保护6×6英寸光掩模（掩模版），否则在这个过程中可能会损坏它们或在生产中给晶圆造成缺陷。

与深紫外线（DUV）光刻设备一起使用的光掩模膜盒是常见且便宜的。相比之下，由于EUV的光掩模与DUV的光掩模不同（EUV掩模本质上是250到350 nm厚的堆叠，在基板上具有40到50个交替的硅和钼交替层），因此这种标线的防护膜也大不相同。

特别是，极紫外光的波长非常短，这意味着其防护膜有许多要求，使其不易生产且价格昂贵。EUV防护膜必须非常薄，不应影响掩模版的反射特性，应具有较高的透射率（透射率越高，扫描仪的生产率越高），应维持较高的EUV功率水平并承受极端温度（从600C至1,000C的未来）。

ASML于2019年推出了首款EUV防护薄膜，并将该技术授权给三井化学，该公司计划在2021年第二季度开始批量销售。此后，对防护薄膜进行了改进。ASML推出的，由金属硅化物制成的最新原型展示了90.6％的透射率，0.2％的不均匀性以及在400W光源下反射率小于0.005％的情况。

台积电和三星发明了使用EUV光刻工具生产较小芯片的多die掩模，而不需要防护膜的方法，但是这个方法存在风险。目前防护膜的发展仍有很大的改进空间，如果将来发展成功，对提高芯片产量有很大帮助。

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