科创分立器件第一股，优势产品小信号器件，国内市占率超5%

继立昂微、新洁能后又一功率器件厂商登录A股——银河微电，且也位居我国功率器件前十强，不过立昂微主打的硅片业务，分立器件以肖特基二极管芯片和MOSFET芯片为主，收入占比分别仅为为23%、5%左右；新洁能则主要以MOSFET芯片及功率器件为主，且采用的是Fabless模式；而相比之下银河微电的分立器件则种类繁多，其在MOSFET及IGBT高端领域还不具备芯片设计能力，但主打的是小信号功率器件，同时为国内少数具有IDM模式经营能力的企业，虽然银河微电收入及利润规模最小，但是其主打的小信号器件仍具有较大的进口替代空间，与此同时公司的功率器件产品结构正不断优势，向更高端的领域积极拓展。

前面功率器件的新股可以说牛股不断，那么银河微电究竟如何，能否成为下一只功率器件牛股，且看今日为你深度剖析！

我国前十大功率器件厂商，在小信号器件具有一定优势，国内市占率超5%

公司为半导体分立器件厂商，主要产品有各类小信号器件（小信号二极管、小信号三极管）、功率器件（功率二极管、功 率三极管、桥式整流器），同时还生产车用 LED 灯珠、 光电耦合器等光电器件和少量的三端稳压电路、线性恒流 IC 等其他电子器件，产品广泛应用于各类电路以实现整流、稳压、保护、开关、放大等功能。

公司主要产品如下图蓝色区域：

公司为我国半导体功率器件十强企业，全国分立器件厂商有340家，整体市场化程度较高、集中度较低，2019 年公司半导体分立器件产量在国内市占率为1.35%。

公司2018、2019年收入分别同比下降4.3%、9.82%，2019年收入规模为5.3亿，低于苏州固锝7.55亿的收入规模，也远低于华微电子、士兰微15亿左右的收入规模。整体公司收入规模增速也较慢，主要是因为自2018年下半年公司主动采取战略收缩，对经营业绩的考核重点由“量” 转变为“质”，甚至还主动了放弃了部分利润率较低的绿色照明领域订单。

公司毛利率为28%左右，略高于苏州固锝、华微电子20%左右的毛利率，与杨杰科技、华润微接近。

不过公司自成立之初便专注于新型片式小信号器件，具备完整的产品系列，广泛应用的家用电器、计算机及周边设备、网络通信等，小信号器件为公司核心优势产品，也是公司布局较早、具备先发优势的细分产品类别，2017年公司在小信号分立器件国内市场占有率为5.34%，2019年公司小信号器件产品为59.6亿只。小信号器件也是公司第二大收入来源，收入占比在42%左右，其毛利率在30%左右。

2018 年公司半导体分立器件总产能为118.24 亿只，其中小信号器件的产能为 65 亿只，在国内主要半导体分立器件生产企业封测产能中排名第 10。

与此同时国内领先的分立器件企业的大部分产能都集中在功率器件，但近年来逐步加强了小信号器件领域的布局，如2018、2019年扬杰科技拓展了小信号产品自动生产线，2019年闻泰科技通过收购安世半导体拓展了小信号器件产能。

此外，功率器件为公司第一大收入来源，收入占比为50%左右，2017-2019年公司功率器件毛利率分别为25.7%、23.6%、26%，近年来公司不断优化功率器件产品结构，功率 TVS、功率稳压管等新品占比已逐步提升。

分立器件市场集中度高，主要被外资垄断，其中小信号器件在分立器件占比达16%

分立器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，主要由芯片、引线/框架、塑封外壳几部分组成，主要功能为实现各类电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等。

集成电路是把构成具有一定功能的电路所需的半导体器件、电阻、电容等元件及它们之间的
连接导线全部集成在一小块硅片上，然后封装在一个管壳内的电子器件，极大地缩小了电子线路的体积。虽然芯片的集成带来了体积小、重量轻、可靠性高等优势，但对于一些难以集成的特定功能，如高速开关、稳压保护、瞬态抑制和大电流、高电压、低功耗等性能要求，以及出于线路结构、集成难度和成本、稳定性等各方面考虑，仍需要大量使用各种分立器件来完成。

总体分立器件（二极管、三极管等）芯片结构简单，功能也相对较为简单，主要是实现整流、稳压、开关、 放大等既定的电路功能；而集成电路芯片结构非常复杂，可以实现数字信号、模拟信号的处理与转换等复杂功能。2019年分立器件在全球半导体市场规模占比稳定在18-20%左右。

目前半导体分立器件从芯片结构和功能角度可划分为二极管、三极管（包含MOSFET、IGBT 等）、桥式整流器等， 一般将双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（Power-MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）统称为三极管。

二极管为基础性器件，普适性较强，主要用作整流，在半导体分立器件占比为28%，该细分领域市场格局较为分散，其中威世科技是全球二极管最大供应商，占据全球约 10%， 前五大厂商约占据 28%。二极管虽然管理成熟，但受产品稳定性及客户认证壁 垒影响，国产化率仍然较低

三极管为电流控制型开关器件，用于开关或功率放大，不易于驱动控制，频率较低，主要用于消费电子、适配器及电源、 绿色照明、工业控制、网络通信、计算机 及周边设备 等，在半导体分立器件占比为19.4%，目前外资厂商仍有占据市场份额较大，尤其是附加值较高的产品仍被外资垄断，而国内厂商仅在附加值较低的部分完成了国产替代。

晶闸管也是电流控制线开关器件，但开关频率不高，用于难以实现变流装置的高频化，整体市场规模较小，在半导体分立器件占比小于2.9%，外资占有率达70%。

MOSFET具有开关速度快，输入阻抗高， 热稳定性好等优点，但电流容量小，耐压低，一般只适用于功 率不超过10kw的电力电 子装置，其芯片制程复杂，封装技术要求高，高点技术突破难，在半导体分立器件占比达32.6%，市场集中度高，全五大厂商市占率达64%，国内厂商开始在中低压MOSFET领域逐步进行国产替代。

IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，电压越高，IGBT越有 优势，高压下，其开关速度高，电流大，但开关速度 低于MOSFET，其和MOSFET一样芯片制程复杂，技术壁垒高，全球前五大厂商英飞凌、三菱、富士电机、 安森美、赛米控市占率超70%。

随着半导体产业的逐步发展，对芯片供电mA级别的电流需求、产品良率及 成本制约下小功率器件无法集成，在此背景下体积较小且通过电流较小的“小信号器件”概念被提出，目前功率器件从耗散功率（或额度电流）角度可划分为小信号器件、功率器件。一般将小信号器件定义为耗散功率小于1W（或者额定电 流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于1A）的分
立器件则归类为功率器件。2018年全球分立器件市场份额中，小信号器件占比约16%， 功率器件占比约73%。

小信号器件芯片与功率器件差异较大，小信号器件芯片尺寸和封装尺寸均较小，对生产作业控制精度要求较高，同时其电性参数值均比较小，因此要求测试系统能够快速分辨出微小的电量变化，具备较高的测试精度。

总体分立器件市场集中度高，全球功率器件前十大厂商市占率接近80%，小信号功率器件前十大厂商市占率接近90%。

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