三星如何彎道超車3nm芯片恐怕有戲

首先,國際半導體專傢以及ICKowledge的創始人ScoeJoe給出三星7m和臺積電7m的對比結果:兩傢的7m工藝,在晶體管密度上非常接近,性能和能耗比也非常接近。目前三星7m和臺積電7m基本處於同一水平。雖然,三星和臺積電的7m性能基本一致,但是三星由於良品率的問題,確實失去瞭巨大的實市場份額,臺積電以可靠的產能超越三星。同時,臺積電已經在5m取得巨大突破,未來一兩年內,都會是臺積電占據5m市場的主導份額。三星如何實現彎道超車呢之前就有消息指出,三星直接繞開5m或是4m的研發時間,把目光投向3m工藝制程。據悉,三星將會在3m工藝引入GAA技術,而臺積電的3m依舊使用舊的FiFe。兩種技術有什麼差別呢首先,星3mGAA的性能和能耗比要比臺積電3mFiFe要更強,根據三星和臺積電的數據進行推算,三星3m性能1.89,臺積電3m性能為1.82,三星3m能耗比為5.41,臺積電3m能耗比為5.02。這麼來看,三星3m的性能可能會比臺積電3m更加優秀和強悍。此外,尤其三星計劃直接切入3m工藝,三星的3m工藝將會在2021到2022年量產,反觀臺積電3m計劃在2022年實現量產,三星的3m芯片最早可能會比臺積電的3m芯片提前1年。當然瞭,這些都是通過數據與現在的資料進行的預測,未來到底會發生什麼技術革新,這些都是無法預測的。舉報/反饋

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