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眾所周知,芯片的工藝是越來越先進,臺積電的代工能力已經到5nm瞭,而且直言不諱的表示3nm、2nm已經在路上瞭。隨著集成電路的發展,計算機一直受到摩爾定律的支配,目前,芯片都是由矽為基礎,在上面刻蝕電路,但是,理論研究表明,當芯片制程達到1nm的時候,量子隧穿效應,就是電子不受控制,所以這是人們很擔心的問題,1nm後怎麼辦?芯片上有無數個晶體管,他們是芯片的核心,也就說,目前的技術是要把晶體管做的越來越小,這樣,芯片上能容納的晶體管就很多,芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1
nm柵極長度的二硫化鉬晶體管。而且,並不是到1nm才會發生擊穿效應,而是進入7nm節點後,這個現象就越來越明顯瞭,電子從一個晶體管跑向另一個晶體管而不受控制,晶體管就喪失瞭原來的作用。目前人類馬上將矽基材料的性能壓縮到瞭極限,所以,不能一棵樹上吊死,更換材料已經被提上日程,而且,目前最有希望的便是二硫化鉬(MoS2)。矽和二硫化鉬(MoS2)都有晶體結構,但是,二硫化鉬對於控制電子的能力要強於矽,眾所周知,晶體管由源極,漏極和柵極,柵極負責電子的流向,它是起開關作用,在1nm的時候,柵極已經很難發揮其作用瞭,而通過二硫化鉬,則會解決這個問題,而且,二硫化鉬的介電常數非常低,可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。1nm是人類半導體發展的重要節點,可以說,能不能突破1nm的魔咒,關乎計算機的發展,雖然二硫化鉬的應用價值非常大,但是,目前還在早期階段,而且,如何批量生產1nm的晶體管還沒有解決,但是,這並不妨礙二硫化鉬在未來集成電路的前景。

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